FDP150N10A-F102, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 50 А, 0.0125 Ом, TO-220, Through Hole

Фото 1/2 FDP150N10A-F102, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 50 А, 0.0125 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
670 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.580 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 680 руб.
Номенклатурный номер: 8000982784
Артикул: FDP150N10A-F102

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0125Ом
Power Dissipation 91Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции PowerTrench
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 50А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 91Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0125Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Id - непрерывный ток утечки 50 A
Pd - рассеивание мощности 91 W
Qg - заряд затвора 21 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 12.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Другие названия товара № FDP150N10A_F102
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 800
Серия FDP150N10A
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Вес, г 2.72

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов