FDP80N06, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 80 А, 0.0085 Ом, TO-220, Through Hole

Фото 1/2 FDP80N06, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 80 А, 0.0085 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
550 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.480 руб.
от 100 шт.381 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 750 руб.
Номенклатурный номер: 8003131791
Артикул: FDP80N06

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 65А, Idm: 320А, 176Вт, TO220

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0085Ом
Power Dissipation 176Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции UniFET
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 80А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 176Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0085Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet FDP80N06
pdf, 1005 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов