FDP80N06, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 80 А, 0.0085 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
381 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 65А, Idm: 320А, 176Вт, TO220
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0085Ом |
Power Dissipation | 176Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | UniFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 80А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 176Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0085Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet FDP80N06
pdf, 1005 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов