Мой регион: Россия

FDS6679AZ, МОП-транзистор, P Канал, -13 А, -30 В, 0.0077 Ом, -10 В, -1.9 В

Ном. номер: 8146871924
PartNumber: FDS6679AZ
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 FDS6679AZ, МОП-транзистор, P Канал, -13 А, -30 В, 0.0077 Ом, -10 В, -1.9 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 FDS6679AZ, МОП-транзистор, P Канал, -13 А, -30 В, 0.0077 Ом, -10 В, -1.9 ВФото 3/4 FDS6679AZ, МОП-транзистор, P Канал, -13 А, -30 В, 0.0077 Ом, -10 В, -1.9 ВФото 4/4 FDS6679AZ, МОП-транзистор, P Канал, -13 А, -30 В, 0.0077 Ом, -10 В, -1.9 В
82 руб.
6128 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 68 руб.
от 100 шт. — 44 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
29 руб. По запросу 1 шт. 136 шт.
от 241 шт. — 25.70 руб.
64 руб. 2-3 недели, 1499 шт. 1 шт. 9 шт.
80 руб. 3-4 недели, 2280 шт. 1 шт. 2 шт.
120 руб. 8 дней, 115 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 49 руб.
от 100 шт. — 34 руб.
80 руб. 4 дня, 368 шт. 1 шт. 8 шт.
от 31 шт. — 51 руб.
от 62 шт. — 45 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDS6679AZ is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handing capability
• 6kV Typical HBM ESD protection level

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
13 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
2мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
210 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
68 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2890 пФ при 15 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Вес, г
0.225

Техническая документация

FDS6679AZ
pdf, 479 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDS6679AZ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.