FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154]
![Фото 1/3 FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 руб.
от 5 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Описание
Транзистор полевой N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 781 КБ
Datasheet FDS6690AS
pdf, 658 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
