FQP11N40C, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,6А, 135Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
от 10 шт. —
300 руб.
от 20 шт. —
278 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы
Описание Транзистор полевой FQP11N40C от компании ONSEMI - это высоковольтный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Устройство способно обеспечить ток стока до 10,5 А и работает при напряжении сток-исток до 400 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений, требующих высокой мощности. Максимальная мощность транзистора составляет 135 Вт. Корпус TO220AB обеспечивает надежную теплоотдачу и долговечность компонента. Покупая FQP11N40C, вы получаете надежный компонент для эффективных и долгосрочных решений в области электроники. Используйте код FQP11N40C для поиска дополнительных технических характеристик и схем подключения. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 10.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 400 |
| Мощность, Вт | 135 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.53? |
| Maximum Drain Source Voltage | 400V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30V |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Product Height | 9.2mm |
| Product Length | 9.9mm |
| Product Width | 4.5mm |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Fall Time | 81ns |
| Typical Rise Time | 89ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 81ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14ns |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| монтаж (установка) | Through Hole |
| разрешение | Power MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 135 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
