FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
![Фото 1/4 FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 15 шт. —
181 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 12,1А, 139Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.17 Ом/9.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 139 | |
| Корпус | to-220 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 800 КБ
Datasheet FQPF19N20C
pdf, 795 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
