Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В ...

FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

от 15 шт. — 186 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.

Номенклатурный номер: 9000616795

Артикул: FQP33N10

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.

• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Lower conduction loss
• 175°C maximum junction temperature rating

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.052 Ом/16.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	127
Корпус	to-220
Вес, г	2.5