FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220]

Артикул: FQP4N90C
Ном. номер: 9000162519
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220]
Фото 2/4 FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220]Фото 3/4 FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220]Фото 4/4 FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Ожидается поступление на склад г.Москва: 2 ноября 2017 г. — 500 шт.
Возможна срочная доставка завтра
40 руб. × = 40 руб.
Цена и наличие в магазинах


QFET® N-Channel MOSFET, up to 5A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet FQP4N90C
Datasheet FQP4N90C
Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin TO-220 FQP4N90C