FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F]
![Фото 1/3 FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
от 15 шт. —
294 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 5,1А, 59Вт, TO220FP Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.55 Ом/4А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 59 | |
| Корпус | TO-220F | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
FQPF8N80C
pdf, 1268 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
