FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f]
![Фото 1/2 FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 15 шт. —
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 5,4А, 44Вт, TO220F, QFET® Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 Ом/4.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 44 | |
| Крутизна характеристики, S | 6.5 | |
| Корпус | TO-220F | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
FQPF9N50CF
pdf, 1302 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
