IRFH8321TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм, [PQFN-5x6]
![IRFH8321TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм, [PQFN-5x6]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313837.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 15 шт. —
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0049 Ом/20А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 | |
| Крутизна характеристики, S | 68 | |
| Корпус | PQFN-8(5X6) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2…2.2 | |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFH8321
pdf, 232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
