L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]

Фото 2/6 L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]Фото 3/6 L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]Фото 4/6 L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]Фото 5/6 L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]Фото 6/6 L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]
Фото 1/6 L6384ED, Полумостовой драйвер MOSFET/IGBT [SOIC-8]
288 шт. со склада г.Москва
91 руб.
от 5 шт.86 руб.
от 50 шт.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 91 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000283930
Артикул: L6384ED
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА, Максимальный выходной ток спада 650 мА

Технические параметры

Конфигурация half-bridge
Тип канала синхронный
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 14.6…16.6
Логическое напряжение (VIL), В 1.5
Логическое напряжение (VIH), В 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.65
Тип входа инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 30
Рабочая температура, °C -45…+125 (TJ)
Корпус soic-8 (0.154 inch)
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet L6384E
pdf, 331 КБ

Дополнительная информация

Datasheet L6384ED
Datasheet L6384ED
SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах