MTP3055VL, MOSFET 60V Single N-Ch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
282 руб.
от 500 шт. —
225.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 60V Single N-Ch
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 48 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 190 ns |
| Время спада | 90 ns |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Другие названия товара № | MTP3055VL_NL |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | MTP3055VL |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -15 V, +15 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.8 nC @ 5 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 2.911 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
