NCD57090CDWR2G, Gate Driver, 1 Channel, Isolated, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, Inverting, Non-Inverting
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
640 руб.
от 100 шт. —
516 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 040 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The ON Semiconductor NCD57090 are high−current single channel IGBT/MOSFET gate driver with 5 kVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications.
Технические параметры
| Тип входа | Inverting, Non-Inverting | |
| Gate Driver Type | Isolated | |
| IC Case / Package | WSOIC | |
| Задержка Выхода | 60нс | |
| Задержка по Входу | 60нс | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) | |
| Конфигурация Привода | Изолированный | |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
| Минимальное Напряжение Питания | 3.1В | |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) | |
| Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET | |
| Ток истока | 6.5А | |
| Ток стока | 6.5А | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Fall Time | 13ns | |
| Output Current | 6.5 A | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Supply Voltage | 22V | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NCD57090CDWR2G
pdf, 1974 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
