NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]
![NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313893.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0058 Ом/30А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25.5 | |
| Корпус | SO-8FL | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный | |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN | |
| Рассеиваемая Мощность | 25.5Вт | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В | |
| Непрерывный Ток Стока | 52А | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0046Ом | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet NTMFS4C09N
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
