SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]

SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5406 шт. со склада г.Москва
40 руб.
от 100 шт.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 40 руб.
Номенклатурный номер: 9000982601
Артикул: SI2319CDS-T1-GE3-VB

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.054 Ом/3.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 18
Корпус SOT-23-3
Вес, г 0.05

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.