Мой регион: Россия

STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK]

Ном. номер: 9000187581
Артикул: STB34NM60ND
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK]
Фото 2/2 STB34NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.097 Ом, 29А, [D2-PAK]
170 руб.
19 шт. со склада г.Москва,
срок 5-7 рабочих дней
от 2 шт. — 140 руб.
от 5 шт. — 118 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 4 дня, 648 шт. 1 шт. 4 шт.
от 7 шт. — 110 руб.
от 8 шт. — 99 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The STB34NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ V Power MOSFET produced using ST's MDmesh™ V technology, which is based on an innovative proprietary vertical structure. The resulting product boasts an extremely low ON-resistance that is unrivalled among silicon-based Power MOSFET and superior switching performance with intrinsic fast-recovery body diode.

• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• The world's best RDS (ON) in TO-220 amongst the fast recovery diode devices
• Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5
Вес, г
1.2

Техническая документация

...34NM60ND
pdf, 1157 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STB34NM60ND

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.