STB36NM60ND, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 29 А, 0.097 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

STB36NM60ND, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 29 А, 0.097 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1025 шт., срок 8-10 недель
1 730 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.1 610 руб.
от 10 шт.1 440 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 460 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001797666
Артикул: STB36NM60ND
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.097Ом
Power Dissipation 190Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции FDmesh II
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 29А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 190Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.097Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet STB36NM60ND
pdf, 1357 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.