Мой регион: Россия

STB36NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.097 Ом, 10 В, 4 В

Ном. номер: 8001797666
PartNumber: STB36NM60ND
Производитель: ST Microelectronics
STB36NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.097 Ом, 10 В, 4 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 руб.
889 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 472 руб.
от 100 шт. — 408 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стандарты Автомобильной Промышленности
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4мм
Transistor Configuration
Одиночный
Brand
STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
190 W
Series
FDmesh
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Width
9.35мм
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Height
4.6мм
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Pin Count
2
Typical Gate Charge @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Вес, г
0.35

Дополнительная информация

Datasheet STB36NM60ND

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.