STB8NM60T4, MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp
930 шт., срок 7-9 недель
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
650V 8A 1Ω@2.5A,10V 100W 5V@250uA null D2PAK MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@2.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 541 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
