STD10N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 4,9А, 85Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2203 шт., срок 7 недель

370 руб.

от 10 шт. — 250 руб.

от 30 шт. — 215 руб.

от 100 шт. — 181.23 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8014887740

Артикул: STD10N60M2

600V 7.5A 85W 600mΩ@3A,10V 4V@250uA null DPAK MOSFETs ROHS

Continuous Drain Current (Id)	7.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	600mΩ@3A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	400pF@100V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	85W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	13.5nC@10V
Type	null
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.55Ом
Power Dissipation	85Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh M2
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	7.5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	85Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.55Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	2

pdf, 587 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем