STD11N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 7 А, 0.6 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2334 шт., срок 8-10 недель
460 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
390 руб.
от 100 шт. —
318 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 760 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
• 650V, 7A N-channel MDmesh™ M2 power MOSFET in 3 pin DPAK package
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener protected
• Suitable for switching applications
• Exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics
• Suitable for the most demanding high-efficiency converters
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.6Ом |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.6Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | Power MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 670 mOhms |
| REACH - SVHC: | Details |
| Rise Time: | 7.5 ns |
| Series: | STD11N65M2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh II Plus |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 733 КБ
Datasheet STD11N65M2
pdf, 757 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
