Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD3N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel ...

STD3N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 2.5 А, 2.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4760 шт., срок 7-9 недель

420 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 380 руб.

от 100 шт. — 286 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 520 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001698312

Артикул: STD3N80K5

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	2.8Ом
Power Dissipation	60Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh K5
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	2.5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	60Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	2.8Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	25 ns
Id - Continuous Drain Current:	2.5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation:	60 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	9.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.8 Ohms
Rise Time:	7.5 ns
Series:	STD3N80K5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20.5 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Вес, г	0.35