STD4N62K3, Транзистор полевой N-канальный 620В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 34 шт. —
62 руб.
от 68 шт. —
57 руб.
от 136 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 456 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 620В
Технические параметры
| Корпус | dpak | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.8 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W | |
| Qg - заряд затвора | 14 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.95 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 3 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | MDmesh | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | STD4N62K3 | |
| Технология | Si | |
| Тип | SuperMesh3 Power MOSFET | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 2500 | |
| Id - Continuous Drain Current | 3.8 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-252-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 70 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 14 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.95 Ohms | |
| RoHS | Details | |
| Series | N-channel MDmesh | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | SuperMesh3 Power MOSFET | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 620 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
