STD7N80K5, MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
558 шт., срок 7-9 недель
620 руб.
от 10 шт. —
490 руб.
от 100 шт. —
367 руб.
от 250 шт. —
317.08 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 620 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,8А, 110Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 20.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Rise Time: | 8.3 ns |
| Series: | STD7N80K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.95Ом |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.95Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
