STF12N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 8 А, 0.42 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1439 шт., срок 8-10 недель
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
331 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in a TO-220FP package
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.42Ом |
| Power Dissipation | 25Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.42Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 16.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 13.5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF12N65M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh M2 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
