STF18N55M5
8 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
1 380 руб.
от 2 шт. —
1 250 руб.
от 5 шт. —
1 160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 380 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
STMICROELECTRONICS STF18N55M5 MOSFETS
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192 mOhm @ 8A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў V |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.42 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
