STF3NK100Z, N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1000 V, 3-Pin TO-220FP STF3NK100Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 7 недель
270 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 13 500 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
