STL13NM60N, MOSFET N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

STL13NM60N, MOSFET N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2431 шт., срок 7-9 недель
830 руб.
от 10 шт.650 руб.
от 100 шт.458 руб.
от 250 шт.421.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 830 руб.
Номенклатурный номер: 8004828732
Артикул: STL13NM60N
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 10 A
Pd - рассеивание мощности 90 W
Qg - заряд затвора 27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 385 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия STL13NM60N
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок PowerFLAT-8x8-5
Чувствительный к влажности Yes
Вес, г 30

Техническая документация

Datasheet STL13NM60N
pdf, 844 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.