STL13NM60N, MOSFET N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2431 шт., срок 7-9 недель
830 руб.
от 10 шт. —
650 руб.
от 100 шт. —
458 руб.
от 250 шт. —
421.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 830 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 90 W |
Qg - заряд затвора | 27 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 385 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STL13NM60N |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | PowerFLAT-8x8-5 |
Чувствительный к влажности | Yes |
Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet STL13NM60N
pdf, 844 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.