STP130N6F7, N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP130N6F7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 шт., срок 7 недель
380 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 900 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET F7 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.0042Ом |
| Power Dissipation | 160Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 160Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0042Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 mOhms |
| Rise Time: | 44 ns |
| Series: | STP130N6F7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
