STP20NF20, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 18 А, 0.125 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
566 шт., срок 8-10 недель
640 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
446 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 200 руб.
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги4
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Case | TO220-3 |
Drain current | 11A |
Drain-source voltage | 200V |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.125Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 110W |
Technology | STripFET™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2.676 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 907 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.