STP24NM60N, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 17 А, 0.168 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
898 шт., срок 8-10 недель
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
506 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 840 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 650В, 11А, Idm: 68А Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 120 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 168 mOhms |
| Rise Time: | 16.5 ns |
| Series: | STP24NM60N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1075 КБ
STP24NM60N
pdf, 1080 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
