STP57N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 42 А, 0.056 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 шт., срок 8-10 недель
2 890 руб.
от 5 шт. —
2 650 руб.
от 10 шт. —
2 460 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 890 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 650В 42A 250Вт 0,063Ом TO220
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.056Ом |
Power Dissipation | 250Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh V |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 42А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.056Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 100V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 21A, 10V |
Series | MDmeshв(ў V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 250 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 98 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 63 mOhms |
Series: | Mdmesh M5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.