STS5NF60L, Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7500 шт., срок 7-9 недель
170 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
160 руб.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 425 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 3А, 2,5Вт, SO8
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V, 2.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.25nF@25V |
Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@5V |
Type | N Channel |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
STMicroelectronics STS5NF60L
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.