Добавить к сравнению Сравнить ()

STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]

Артикул: STW20NM60
Ном. номер: 9000008649
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
Фото 2/2 STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
170 × = 170
от 5 шт. — 160 руб.
от 50 шт. — 158 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.

• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
250
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet STW20NM60
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов