STW40N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 22А, 250Вт, TO247

Фото 1/2 STW40N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 22А, 250Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 7 недель
1 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 530 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8014887685
Артикул: STW40N60M2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.078Ом
Power Dissipation 250Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MDmesh M2
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 34А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 250Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.078Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Fall Time: 11 ns
Id - Continuous Drain Current: 34 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 250 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 57 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 88 mOhms
Rise Time: 13.5 ns
Series: STW40N60M2
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 96 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 6.99

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1099 КБ
Datasheet STW40N60M2
pdf, 1116 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.