Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал ...

STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]

Фото 4/4 STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]

Фото 1/4 STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]

Ном. номер: 9000187568

Артикул: STW88N65M5

Производитель: ST Microelectronics

1 170 руб.	154 шт. со склада г.Москва
от 3 шт. — 1 100 руб. от 30 шт. — 1 080 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 170 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Описание

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	84
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.029 ом при 42a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	450
Корпус	to247
Пороговое напряжение на затворе	3…5
Вес, г	7.5