STP4N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 60Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
249 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 11 шт. —
230 руб.
от 21 шт. —
211 руб.
от 50 шт. —
198 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 60Вт
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W | |
| Qg - заряд затвора | 10.5 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Время нарастания | 15 ns | |
| Время спада | 21 ns | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | MDmesh | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Серия | STP4N80K5 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 16.5 ns | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 21 ns | |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 60 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 10.5 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 Ohms | |
| Rise Time | 15 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | MDmesh K5 | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 16.5 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Power Dissipation | 60 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
| Width | 4.6mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1294 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP4N80K5
pdf, 1290 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
