STY60NK30Z, Транзистор полевой N-канальный 300В 60А 450Вт

Фото 1/3 STY60NK30Z, Транзистор полевой N-канальный 300В 60А 450Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
1 600 руб.
от 2 шт.1 520 руб.
от 4 шт.1 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 600 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8000561831
Артикул: STY60NK30Z
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 300В 60А 450Вт

Технические параметры

Корпус MAX247
Base Product Number STY60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package MAX247в„ў
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100ВµA
Case MAX247
Drain current 37.5A
Drain-source voltage 300V
Features of semiconductor devices ESD protected gate
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting THT
On-state resistance 45mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 450W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 10

Техническая документация

Datasheet
pdf, 190 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.