FQA70N10, Транзистор полевой N-канальный 100В 70А 214Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 8 шт. — 190 руб.

от 15 шт. — 182 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 660 руб.

Номенклатурный номер: 8000668521

Артикул: FQA70N10

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 100В 70А 214Вт

Корпус	TO-3P
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	70 A
Maximum Drain Source Resistance	23 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	214 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-3PN
Pin Count	3
Series	QFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	85 nC @ 10 V
Width	5mm
Вес, г	6