Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP9N60M2, Транзистор полевой N-канальный ...

STP9N60M2, Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

203 шт. со склада г.Москва, срок 10-13 дней

350 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 8 шт. — 300 руб.

от 15 шт. — 280 руб.

от 30 шт. — 269 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 700 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8001653522

Артикул: STP9N60M2

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Технические параметры

Корпус	to-220
Base Product Number	STP9N60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	320pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	780mOhm @ 3A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	MDmeshв„ў II Plus ->
Supplier Device Package	TO-220
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	13.5 ns
Id - Continuous Drain Current	5.5 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	60 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	10 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	780 mOhms
Rise Time	7.5 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns
Typical Turn-On Delay Time	8.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.72Ом
Power Dissipation	60Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh II Plus
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	5.5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	60Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.72Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	3.5