STP80NF70
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
853 шт. со склада г.Москва
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 50 шт. —
124 руб.
от 250 шт. —
109.01 руб.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 3 600 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
Технические параметры
| Корпус | to220 | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Base Product Number | STP80 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 98A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 68V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 40A, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | STripFETв„ў II -> | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 75 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 60 S | |
| Id - Continuous Drain Current | 98 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 190 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 75 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.8 mOhms | |
| Rise Time | 60 ns | |
| RoHS | Details | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 68 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
| Вес, г | 2.594 |
Техническая документация
Datasheet STP80NF70
pdf, 421 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
