STP9N60M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
125 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
890 руб.
от 2 шт. —
760 руб.
от 5 шт. —
683 руб.
от 10 шт. —
641.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 5.5A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.72ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 13.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 780 mOhms |
| Rise Time | 7.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh M2 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Base Product Number | STP9N60 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 3A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.72Ом |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh II Plus |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.72Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
