STP5N60M2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

39 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

460 руб.

от 2 шт. — 350 руб.

от 5 шт. — 278 руб.

от 10 шт. — 250.74 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001936951

Электроэлемент

N-Channel MOSFET, 3.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP5N60M2

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	3.7 A
Maximum Drain Source Voltage	600(Min)V
Maximum Gate Source Voltage	?25 V
Mounting	Through Hole
Operating Temperature	-55 to 150 ?C
Package	3TO-220
Packaging	Rail/Tube
Rad Hard	No
RDS-on	1.4@10V Ohm
Maximum Drain Source Resistance	1.4 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	45 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	MDmesh M2
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.5 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	5