STE53NC50
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
18 880 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 880 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Модуль, одиночный транзистор, 500В, 33А, ISOTOP, Ugs: ±30В, винтами Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Source |
| Factory Pack Quantity | 100 |
| Fall Time | 38 ns |
| Forward Transconductance - Min | 42 S |
| Height | 9.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 53 A |
| Length | 38.2 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | ISOTOP-4 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 460 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80 mOhms |
| Rise Time | 70 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time | 46 ns |
| Unit Weight | 1 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 25.5 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 100 |
| Fall Time: | 38 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 42 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 53 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | ISOTOP-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 460 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 434 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Rise Time: | 70 ns |
| Series: | STE53NC50 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time: | 46 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 279 КБ
Datasheet STE53NC50
pdf, 278 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
