STB35N60DM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
2 170 руб.
от 2 шт. —
2 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 170 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Powe
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 10.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 210 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Rise Time: | 17 ns |
| Series: | STB35N60DM2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 749 КБ
Документация
pdf, 909 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
