STI6N90K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
560 руб.
от 2 шт. —
490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-262-3 |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 910 mOhms |
| Rise Time | 12.2 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 910 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 12.2 ns |
| Время спада | 15.5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STI6N90K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.4 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Base Product Number | STI6 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet STI6N90K5
pdf, 716 КБ
Datasheet STI6N90K5
pdf, 583 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
