STL45N10F7AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
580 руб.
от 2 шт. —
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ 18 A STripFET F7 Power MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 72 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19.5 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Rise Time: | 5.5 ns |
| Series: | STL45N10F7AG |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
