STF18NM80
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
2 480 руб.
от 2 шт. —
2 300 руб.
от 5 шт. —
2 180 руб.
от 10 шт. —
2 101.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 480 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 800V, 17A, TO 220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:40W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 295@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 40000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (?C) | -65~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | MDmesh |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 70 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 70@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2070@50V |
| Drain Source On State Resistance | 0.25Ом |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Rise Time: | 28 ns |
| Series: | STF18NM80 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
