STP12N65M5

STP12N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 8-13 дней
660 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 660 руб.
Номенклатурный номер: 8001981490
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Factory Pack Quantity 1000
Id - Continuous Drain Current 8.5 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 70 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 390 mOhms
RoHS Details
Series N-channel MDmesh
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage 25 V
Id - непрерывный ток утечки 8.5 A
Pd - рассеивание мощности 70 W
Qg - заряд затвора 20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 390 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STP12N65M5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet STP12N65M5
pdf, 1072 КБ
stf12n65m
pdf, 1077 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.