Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP4NK60Z

STP4NK60Z

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

16 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней

270 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 210 руб.

от 10 шт. — 176 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 540 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8001982811

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, 70Вт, TO220-3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2000
Fall Time	16.5 ns
Forward Transconductance - Min	3 S
Height	9.15 mm
Id - Continuous Drain Current	4 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	70 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	18.8 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	2 Ohms
Rise Time	9.5 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	29 ns
Typical Turn-On Delay Time	12 ns
Unit Weight	0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	4.6 mm
Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	70 W
Qg - заряд затвора	26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	9.5 ns
Время спада	16.5 ns
Высота	9.15 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP4NK60Z
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	29 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Base Product Number	STP4NK60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Power Dissipation (Max)	70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 2A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50ВµA
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4 A
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Power Dissipation	70 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	18.8 nC @ 10 V
Вес, г	3.57